| 用于等电子谱线法诊断电子温度的Mg/Si混合膜制备工艺研究 |
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| 引用本文： | 许华,吴卫东,陈志梅,唐晓虹,黄勇,唐永建. 用于等电子谱线法诊断电子温度的Mg/Si混合膜制备工艺研究[J]. 原子能科学技术, 2002, 36(4): 371-373 |
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| 作者姓名： | 许华 吴卫东 陈志梅 唐晓虹 黄勇 唐永建 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院,高温高密度等离子体物理国家重点实验室,四川,绵阳,621900 |
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| 摘 要： | 进行了在单靶头磁控溅射装置上采用复合靶溅射制备Mg/Si混合膜的工艺研究，制备出了不同组分的Mg/Si混合膜，并利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、透射电镜（TEM）等测试手段，对混合膜的结构进行了初步分析。分析结果表明：Mg/Si混合膜中的镁以单取向多晶形式存在，硅以非晶形式弥散在镁的晶粒之间。
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| 关 键 词： | 等电子谱线法 诊断 Mg／Si混合膜 制备工艺 电子温度 磁控溅射 复合靶 镁硅混合膜 惯性约束聚变 等离子体 |
| 文章编号： | 1000-6931(2002)04/05-0371-03 |
| 修稿时间： | 2001-08-25 |
Fabrication of the Mg/Si Alloy Films for Determination of Electron Temperature of Plasmas by Isoelectronic Line Ratios |
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