| 溅射功率对Mo掺杂ZnO(MZO)透明导电薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 李召阳,陈祎祎,雷金坤,李继文,熊美. 溅射功率对Mo掺杂ZnO(MZO)透明导电薄膜的影响[J]. 功能材料, 2022, 53(2): 2114-2122. DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2022.02.017 |
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| 作者姓名： | 李召阳 陈祎祎 雷金坤 李继文 熊美 |
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| 作者单位： | 河南科技大学 材料科学与工程学院,河南 洛阳 471023,河南科技大学 材料科学与工程学院,河南 洛阳 471023;金属材料磨损控制与成型技术国家地方联合工程研究中心,河南 洛阳 471023,金属材料磨损控制与成型技术国家地方联合工程研究中心,河南 洛阳 471023 |
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| 基金项目： | 教育部长江学者奖励计划项目;国家自然科学基金;创新团队发展计划 |
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| 摘 要： | Mo原子具有较高的价态(+6),每个掺杂的Mo原子可以向ZnO晶体贡献4个自由电子,因此,Mo原子被认为是提高ZnO薄膜导电性的潜在掺杂剂.采用射频磁控溅射制备不同溅射功率下的MZO透明导电薄膜,研究溅射功率对MZ O薄膜表面形貌、微观结构、组织以及光电性能的影响.实验结果表明,不同功率制备的MZO薄膜样品都沿(002...
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| 关 键 词： | Mo掺杂ZnO 透明导电薄膜 电学性能 光学性能 |
Effect of sputtering power on Mo doped ZnO (MZO) transparent conductive thin films |
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| LI Zhaoyang,CHEN Yiyi,LEI Jinkun,LI Jiwen,XIONG Mei. Effect of sputtering power on Mo doped ZnO (MZO) transparent conductive thin films[J]. Journal of Functional Materials, 2022, 53(2): 2114-2122. DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2022.02.017 |
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| Authors: | LI Zhaoyang CHEN Yiyi LEI Jinkun LI Jiwen XIONG Mei |
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