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| 碲镉汞薄膜的MOVPE生长和特性 | |
| 引用本文： | 王静宇, 刘朝旺, 杨玉林. 碲镉汞薄膜的MOVPE生长和特性[J]. 红外技术, 2000, 22(5): 2. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2000.05.001 |
| 作者姓名： | 王静宇 刘朝旺 杨玉林 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 报道了在水平、常压ＭＯＶＰＥ实验型生产装置中,采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ）,用金属有机化合物ＤＭＣｄ、ＤｉＰＴｅ和元素Ｈｇ,在ＣｄＴｅ和ＧａＡｓ衬底上生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜,其组分和薄膜厚度的均匀性以及ｐ型电学性质,初步达到了目前红外焦平面列阵研制的要求,同时,这种薄膜的生长具有一定重复性。 |
| 关 键 词： | 碲镉汞薄膜 |
The Growth and Characteristics of MOVPE HgCdTe Film |
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| Abstract: | |
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