| La掺杂n型Mg_2Si基半导体的热电性能研究 |
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| 引用本文： | 张倩,朱铁军,殷浩,赵新兵.La掺杂n型Mg_2Si基半导体的热电性能研究[J].功能材料,2008,39(12). |
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| 作者姓名： | 张倩 朱铁军 殷浩 赵新兵 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金
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| 摘 要： | 采用感应熔炼然后热压的方法制备了La掺杂Mg2Si基热电材料Mg2-xLaxSi(x=0、0.002、0.005、0.010、0.015).La在Mg2Si中占Mg位,当x≥0.005时,出现第二相LaMg.性能测试表明,Mg2-xLaxSi的导电类型为n型,Seebeck系数的绝对值随La含量的增多而减小,电导率和热导率均随La含量的增多而增大,在测试温度范围内,Mg1.995La0.005Si具有最高的ZT值,在774K温度下达到0.42.
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| 关 键 词： | 热电材料 掺杂 |
Thermoelectric properties of n-type La-doped Mg2Si based semiconductors |
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| ZHANG Qian,ZHU Tie-jun,YIN Hao,ZHAO Xin-bing.Thermoelectric properties of n-type La-doped Mg2Si based semiconductors[J].Journal of Functional Materials,2008,39(12). |
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| Authors: | ZHANG Qian ZHU Tie-jun YIN Hao ZHAO Xin-bing |
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| Affiliation: | ZHANG Qian,ZHU Tie-jun,YIN Hao,ZHAO Xin-bing(State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Mg2Si La |
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