| GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究 |
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| 引用本文： | 刘文莉,李林,钟景昌,王晓华,刘国军.GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究[J].大气与环境光学学报,2005(4). |
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| 作者姓名： | 刘文莉 李林 钟景昌 王晓华 刘国军 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 吉林 长春 130022，吉林 长春 130022，吉林 长春 130022，吉林 长春 130022，吉林 长春 130022 |
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| 基金项目： | 高功率半导体激光国家重点实验室基金(ZS3603) |
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| 摘 要： | 分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。
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| 关 键 词： | 量子阱 光荧光(PL)谱 Ⅴ/Ⅲ束流比 |
Study on Photoluminescence of GaAlAs/GaAs Quantum Well Materials |
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| LIU Wen-li,LI Lin,ZHONG Jing-chang,WANG Xiao-hua,LIU Guo-jun.Study on Photoluminescence of GaAlAs/GaAs Quantum Well Materials[J].Journal of Atmospheric and Environmental Optics,2005(4). |
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| Authors: | LIU Wen-li LI Lin ZHONG Jing-chang WANG Xiao-hua LIU Guo-jun |
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