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Al对热压MoSi2材料显微结构的影响
作者姓名:李建林  江东亮  谭寿洪
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室; 上海 200050
摘    要:本文研究了添加Al对热压MoSi2材料显微结构的影响,提出了过渡气相烧结的概念.结果表明,Al可消除纯MOSi2材料中的SiO2相,生成Al2O3颗粒.Al原子的扩散引起MOSi2晶格膨胀.由于Al蒸汽排除了孤立气孔内影响烧结的残留气体,从而降低了烧结体的气孔率,同时,MOSi2晶格畸变也促进了烧结.Al粉添加量为3.5Wt%时气孔率最低.

关 键 词:  二硅化钼  显微结构  
收稿时间:1998-03-19
修稿时间:1998-05-22
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