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| RF溅射淀积Ce∶YIG磁光薄膜的热处理结晶化研究 | |
| 作者姓名： | 黄强 冯则坤 何华辉 |
| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系!武汉，430074，华中理工大学固体电子学系!武汉，430074，华中理工大学固体电子学系!武汉，430074 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!资助课题 (6 940 10 0 4) |
| 摘 要： | 基片温度低于溅射外延条件 ,采用低溅射功率密度磁控溅射沉积 ,进行后期热处理结晶化 ,制备出膜厚为 30 0 nm的掺铈钇铁石榴石 Ce∶ YIG磁光薄膜。对热处理前后的磁光特性进行比较 ,并分析了热处理结晶化过程中附属相的变化。薄膜在空气中热处理结晶化温度在 650℃附近。热处理后 ,室温下 633nm处其法拉第旋转系数约为 1.9× 10 4 deg/ cm,光吸收系数为 2 50 0 cm-1。 |
| 关 键 词： | 热处理结晶化 Ce∶YIG薄膜 法拉第旋转角 光吸收系数 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |