|
|||||
|
|
| C频段常温HEMT-FET低噪声放大器 | |
| 作者姓名： | 党耀国 高文生 |
| 作者单位： | 电子部第54研究所(党耀国，高文生，薛兆鸣)，电子部第54研究所(孟立峰) |
| 摘 要： | 介绍C频段常温HEMT-FET低噪声放大器研制过程中的元件选择、电路设计、关键技术及研制结果。 |
| 关 键 词： | 噪声温度 功率增益 频率宽度 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |