| 直接键合SOI晶圆的工艺 |
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| 引用本文： | 黄祯宏,邱恒德. 直接键合SOI晶圆的工艺[J]. 半导体学报, 2006, 27(13): 392-395 |
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| 作者姓名： | 黄祯宏 邱恒德 |
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| 作者单位： | 合晶科技,桃园 326;合晶科技,桃园 326 |
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| 摘 要： | 使用直接键合晶圆工艺制作SOI晶圆. 分别讨论了晶圆净度与表面平坦度对于键合晶圆缺陷的影响，还通过将氧化层生长在不同晶圆上的方法,比较不同方法对于挠曲度的影响. 结果表明，晶圆的凹陷造成键合晶圆发生缺陷，通过红外光可以准确检验出晶圆界面缺陷. 不同的氧化层生长方式明显地改变了键合晶圆的挠曲度.
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| 关 键 词： | 键合晶圆；缺陷；凹陷 |
Direct Bonded SOI Wafers Technology |
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| Huang Chenhung and Chiou Herngde. Direct Bonded SOI Wafers Technology[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(13): 392-395 |
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| Authors: | Huang Chenhung and Chiou Herngde |
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| Affiliation: | Wafer Works Corporation,Taoyuan 326,China;Wafer Works Corporation,Taoyuan 326,China |
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| Abstract: | This paper reports the direct bonded SOI wafers technology.It discusses how the wafer cleanliness and surface flatness result in the voids of bonded SOI wafers.By growing oxide on different layer of bonded wafers,we demonstrate the warpage variation.Dimples on wafers results in the bonding voids,which can be inspected by infrared light. |
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| Keywords: | bonded wafers SOI voids dimples |
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