| 单晶硅浓硼掺杂悬臂梁中残余应力的研究 |
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| 引用本文： | 徐静,苏伟.单晶硅浓硼掺杂悬臂梁中残余应力的研究[J].传感器与微系统,2005,24(7):47-48,51. |
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| 作者姓名： | 徐静 苏伟 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900 |
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| 摘 要： | 单晶硅高浓度硼掺杂会导致晶格失配,从而引起一定的残余应力.为了估算残余应力的大小,研究了浓硼掺杂悬臂梁的形变曲线;分析了形变曲线与悬臂梁尺寸的关系,其中,悬臂梁长度对形变曲线无影响,而宽度越小,形变曲线越陡.通过对变形曲线的拟合,把形变曲线等效成为弯曲外力偶矩下的形变,从而估算出等效的残余应力大小,约为1×107Pa.
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| 关 键 词： | 单晶硅 悬臂梁 浓硼扩散 残余应力 单晶硅 浓硼掺杂 悬臂梁 残余应力 研究 cantilever silicon residual strain 形变 外力偶矩 弯曲 拟合 变形曲线 宽度 影响 长度 关系 尺寸 分析 变曲线 |
| 文章编号： | 1000-9787(2005)07-0047-02 |
Study of residual strain in heavily boron-doped silicon cantilever |
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| XU Jing,SU Wei.Study of residual strain in heavily boron-doped silicon cantilever[J].Transducer and Microsystem Technology,2005,24(7):47-48,51. |
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| Authors: | XU Jing SU Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | monocrystalline silicon cantilever heavily boron diffusion residual stress |
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