| 基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术 |
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| 引用本文： | 张正元,徐世六,冯建,胡明雨.基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术[J].传感技术学报,2006,19(5):1401-1403. |
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| 作者姓名： | 张正元 徐世六 冯建 胡明雨 |
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| 作者单位： | 四川固体电路研究所军用模拟集成电路国防重点实验室,重庆,400060;四川固体电路研究所军用模拟集成电路国防重点实验室,重庆,400060;四川固体电路研究所军用模拟集成电路国防重点实验室,重庆,400060;四川固体电路研究所军用模拟集成电路国防重点实验室,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄膜的有效方法,该方法制备出了的薄膜厚度为10 μm,均匀性为±0.5μm,达到了厚膜SOI材料制备的指标要求,硅薄膜完好率达到70%以上,为硅基MEMS的可动部件的制备打下了坚实的基础.
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| 关 键 词： | 可动部件 硅薄膜 MEMS |
| 文章编号： | 1004-1699(2006)05-1401-03 |
| 修稿时间： | 2006年7月1日 |
A technology for making silicon film on trenched silicon substrate |
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| Zhang Zhengyuan,Xu Shilu,Feng jian,Hu mingyu.A technology for making silicon film on trenched silicon substrate[J].Journal of Transduction Technology,2006,19(5):1401-1403. |
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| Authors: | Zhang Zhengyuan Xu Shilu Feng jian Hu mingyu |
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| Affiliation: | National Laboratory of Analog Integrated Circuits, Chongqing, 400060 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS |
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