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高密度等离子体刻蚀系统中诊断模型的初步分析
引用本文:王巍,陈大鹏,刘明,叶甜春,李兵.高密度等离子体刻蚀系统中诊断模型的初步分析[J].电子测量与仪器学报,2004,18(Z2):983-986.
作者姓名:王巍  陈大鹏  刘明  叶甜春  李兵
作者单位:中科院微电子研究所,北京市,100029
摘    要:高密度等离子体刻蚀已经广泛运用于深亚微米的微电子制造工艺中,并成为制约着产能及器件性能的关键步骤,因而有必要对等离子体刻蚀过程进行原位的实时监控.而利用传统的线性回归方法已经无法对包含有数目众多的变量的谱图数据进行实时分析了,必须采用新的数学模型,对原始数据进行压缩处理.本文结合实例讨论了目前在等离子体刻蚀系统中用到的诊断模型:主元素分析法以及神经网络法.

关 键 词:等离子体刻蚀  等离子体诊断  实时分析  主元素分析法  神经网络法

Primary Analysis for Diagnostic Models Used in High Density Plasma Etching Tools
Wang Wei,Chen Dapeng,Liu Ming,Ye Tianchun,Li Bing.Primary Analysis for Diagnostic Models Used in High Density Plasma Etching Tools[J].Journal of Electronic Measurement and Instrument,2004,18(Z2):983-986.
Authors:Wang Wei  Chen Dapeng  Liu Ming  Ye Tianchun  Li Bing
Abstract:
Keywords:
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