| 纯碳坯渗硅制备反应烧结碳化硅的研究 |
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| 引用本文： | 武七德,鄢永高,赵修建,郭兵健,李美娟,刘小磐. 纯碳坯渗硅制备反应烧结碳化硅的研究[J]. 武汉理工大学学报, 2003, 25(6): 1-3 |
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| 作者姓名： | 武七德 鄢永高 赵修建 郭兵健 李美娟 刘小磐 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学 |
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| 基金项目： | 国家重点科技计划项目资助 (96 - A10 - 0 1- 0 7)，武汉市重点科技计划项目资助 (2 0 0 0 10 0 10 0 3) |
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| 摘 要： | 以石油焦粉制备纯碳素坯高温渗硅的方法制备了反应烧结碳化硅陶瓷。研究表明 ,素坯的碳含量 (或孔隙率 )对材料的最终物相组成有决定性的影响 ;合成 Si C时的热效应以及反应过程中的体积效应 ,是影响石油焦坯体烧结的根本原因 ;烧结时间短使晶粒细化 ,是材料强度提高的主要原因。 90 %理论碳含量的素坯渗硅后 ,所得材料的密度为 3.0 8～ 3.12 g/ cm3,强度为 (5 5 0± 30 ) MPa
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| 关 键 词： | 反应烧结SiC 纯碳坯渗硅 素坯结构 烧结阻塞 |
| 文章编号： | 1671-4431(2003)06-0001-03 |
| 修稿时间： | 2003-01-20 |
Research on the Sintering of Reaction Bonded Silicon Carbide with Pure Carbonaceous Preform |
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| Wu Qide Yan Yonggao Zhao Xiujian Guo Bingjian Li Meijuan Liu Xiaopan. Research on the Sintering of Reaction Bonded Silicon Carbide with Pure Carbonaceous Preform[J]. Journal of Wuhan University of Technology, 2003, 25(6): 1-3 |
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| Authors: | Wu Qide Yan Yonggao Zhao Xiujian Guo Bingjian Li Meijuan Liu Xiaopan |
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| Affiliation: | Wu Qide Yan Yonggao Zhao Xiujian Guo Bingjian Li Meijuan Liu Xiaopan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RBSC infiltrating of pure carbonaceous preform preform structure sintering choke |
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