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SiC纳米线的制备研究现状与展望
引用本文:李昌龄,刘技文,赵燕平,李延辉,李娟. SiC纳米线的制备研究现状与展望[J]. 材料导报, 2005, 19(Z1): 99-101
作者姓名:李昌龄  刘技文  赵燕平  李延辉  李娟
作者单位:1. 天津理工大学材料物理研究所,天津,300191
2. 天津理工大学材料科学与工程学院,天津,300191
基金项目:国家自然科学基金,天津市自然科学基金
摘    要:综述了近年来围绕SiC纳米线制备所做的一些工作.介绍了基于VLS、SLS、氧辅助生长机制和利用模板等制备SiC纳米线的一些方法,并就纳米线的性能和应用研究给出了今后SiC纳米线可控制生长应开展的研究工作,对SiC纳米线的制备研究工作进行了展望.

关 键 词:纳米线  生长机制  制备  控制生长

Research and Perspective on Preparation of SiC Nanofibers
LI Changling,Liu Jiwen,Zhao Yanping,LI Yanhui,LI Juan. Research and Perspective on Preparation of SiC Nanofibers[J]. Materials Review, 2005, 19(Z1): 99-101
Authors:LI Changling  Liu Jiwen  Zhao Yanping  LI Yanhui  LI Juan
Abstract:
Keywords:SiC
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