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| Sn掺杂对MOCVD—Fe2O3薄膜型气敏元件的影响 | |
| 引用本文： | 赵世勇,张为灿.Sn掺杂对MOCVD—Fe2O3薄膜型气敏元件的影响[J].化学传感器,1996,16(4):279-281. |
| 作者姓名： | 赵世勇 张为灿 |
| 作者单位： | 山东大学化学学院 |
| 摘 要： | 本文以四甲基锡为掺杂源，用ＭＯＣＶＤ技术在小瓷管沉积了Ｓｎ掺杂的Ｆｅ２Ｏ３薄膜，Ｓｎ的掺杂保持了Ｆｅ２Ｏ３薄膜原有的气敏规律和快速响应特性，却使元件的电阻得以降低，同时抑制了薄膜中颗粒的生长，提高了元件的长期稳定性。 |
| 关 键 词： | MOCVD 掺杂 气体传感器 气敏元件 锡 氧化铁薄膜 |
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