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| 纳米硅薄膜的电致发光和光致发光 | |
| 引用本文： | 余明斌,李雪梅,何宇亮,徐士杰,刘剑,罗晋生,魏希文,郑厚植,戌霭伦.纳米硅薄膜的电致发光和光致发光[J].半导体学报,1995,16(12):913-916. |
| 作者姓名： | 余明斌 李雪梅 何宇亮 徐士杰 刘剑 罗晋生 魏希文 郑厚植 戌霭伦 |
| 作者单位： | 北京航空航天大学非晶态物理研究室，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，西安交通大学电子工程系，大连理工大学物理系 |
| 摘 要： | 对用ＰＥＣＶＤ方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究．在膜的纵向加直流偏压，暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象．在同一套测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱，并用Ｌａｍｂｄａ９紫外／可见／近红外分光光度计测量了样品的透射谱，从而得到样品的Ｔａｕｃ曲线和光能隙Ｅ |
| 关 键 词： | 纳米硅薄膜 硅薄膜 电致发光 光致发光 |
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