| 快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响 |
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| 引用本文： | 魏永强,刘会云,徐波,丁鼎,梁基本,王占国.快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响[J].半导体学报,2001,22(6):684-688. |
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| 作者姓名： | 魏永强 刘会云 徐波 丁鼎 梁基本 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实 |
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| 摘 要： | 系统地研究了快速热退火对带有 3nm Inx Ga1 - x As(x=0 ,0 .1,0 .2 )盖层的 3nm高的 In As/ Ga As量子点发光特性的影响 .随着退火温度从 6 5 0℃上升到 85 0℃ ,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的 .但是 ,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于 In Ga As盖层的组分 .实验结果表明 In- Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用 .另外 ,我们在较高的退火温度下观测到了 In Ga As的发光峰
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| 关 键 词： | InAs/GaAs量子点 InGaAs盖层 快速热退火 |
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