| 掺Bi热蒸发CdS光导薄膜 |
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| 引用本文： | 顾培夫,陈惠广.掺Bi热蒸发CdS光导薄膜[J].光电子．激光,1992,3(1):22-26. |
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| 作者姓名： | 顾培夫 陈惠广 |
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| 作者单位： | 浙江大学光电科仪系
(顾培夫，陈惠广，何旭涛，梅霆，朱振才)，浙江大学光电科仪系(唐晋发) |
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| 摘 要： | 本文用三种方法制备了掺Bi的CdS光导薄膜。一种方法是将Bi粉和CdS粉均匀混合蒸发;第二种方法是将CdS薄膜在CdS掺杂的Bi气氛中扩散,扩散温度为400～450℃;第三种方法是在CdS膜外再镀上一层很薄的Bi膜。文中介绍了它们的制备条件和光导特性,同时讨论了制备条件与光电导特性的关系。
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| 关 键 词： | 掺硼 CdS光导薄膜 热蒸发 薄膜 |
Bismuth-doped Thermal Evaporated CdS Photoconductive Films |
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| Gu Peifu,Chen Huiguang,He Xutao,Mei Ting,Zhu Zhencai,Tang Jinfa.Bismuth-doped Thermal Evaporated CdS Photoconductive Films[J].Journal of Optoelectronics·laser,1992,3(1):22-26. |
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| Authors: | Gu Peifu Chen Huiguang He Xutao Mei Ting Zhu Zhencai Tang Jinfa |
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| Affiliation: | Dept.of Electro-optical and Sicence Instrumentation Zhejiang University.310027 Hangzhou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photoconductive films thermal evaporation |
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