用Si_3N_4/SiO_2作栅介质的P沟硅栅大规模集成器件的制备

本文详细地叙述了用 Si_2N_4/SiO_2作栅介质的 P 沟硅栅器件的工艺。这个特殊工艺的许多引人注目的特点包括多晶硅和硅的接触.用玻璃流变退火获得改善了的金属台阶覆盖层,较低的快态密度以获得好的 l/f 噪声特性和采用砷离子注入获得的高的寄生场阈值电压。