| AlGaN肖特基势垒二极管的研制 |
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| 引用本文： | 邵庆辉,叶志镇,黄靖云,赵炳辉,江红星,林景瑜.AlGaN肖特基势垒二极管的研制[J].浙江大学学报(自然科学版 ),2004,38(10):1244-1247. |
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| 作者姓名： | 邵庆辉 叶志镇 黄靖云 赵炳辉 江红星 林景瑜 |
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| 作者单位： | [1]浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江杭州310027 [2]堪萨斯州立大学物理系，曼哈顿堪萨斯美国 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行了研究.I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有明显的整流特性和较高的反向击穿电压(95 V),理想因子为1.93.经300℃1 min退火,该器件正、反向I-V特性都得到明显改善.采用变温I-V法对Au/AlGaN接触的肖特基势垒高度进行了标定,其势垒高度高达1.08 eV,更适合在高压、大电流条件下工作.
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| 关 键 词： | 肖特基势垒二极管 势垒高度 |
| 文章编号： | 1008-973X(2004)10-1244-04 |
| 修稿时间： | 2003年10月20 |
Fabrication and investigation of AlGaN-based Schottky barrier diode |
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| SHAO Qing-hui,YE Zhi-zhen,HUANG Jing-yun,ZHAO Bing-hui,JIANG Hong-xing,LIN Jing-yu,China.Fabrication and investigation of AlGaN-based Schottky barrier diode[J].Journal of Zhejiang University(Engineering Science),2004,38(10):1244-1247. |
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| Authors: | SHAO Qing-hui YE Zhi-zhen HUANG Jing-yun ZHAO Bing-hui JIANG Hong-xing LIN Jing-yu China |
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| Affiliation: | SHAO Qing-hui~1,YE Zhi-zhen~1,HUANG Jing-yun~1,ZHAO Bing-hui~1,JIANG Hong-xing~2,LIN Jing-yu~27,China, 2. Department of Physics,Kansas State University,Manhattan Kansas,USA) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN |
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