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制备GaAs激光窗口材料的一种新型补偿掺杂剂
引用本文:黎建明,屠海令.制备GaAs激光窗口材料的一种新型补偿掺杂剂[J].稀有金属,2004,28(3):554-557.
作者姓名:黎建明  屠海令
作者单位:北京有色金属研究总院红外光学材料所,北京,100088
摘    要:用氧化铬 (Cr2 O3)作补偿掺杂剂、LEC法生长的GaAs窗口晶体 ,容易满足高阻补偿条件 ,碳、硅两种主要的残余杂质得到有效抑制 ,获得低自由载流子光吸收的优质GaAs红外激光出口材料。补偿掺杂剂氧化铬 (Cr2 O3)剂量为 99 9999%Ga和 99 9999%As量的优选范围是0 0 1%~ 0 0 4% (质量分数 )。室温下的自由载流子浓度低于 5× 10 6 cm- 3,对光吸收系数的贡献可以忽略。轻掺氧化铬高阻GaAs晶体具有良好的红外透射特性 ;10 6μm处激光量热法测量的红外光吸收系数约为 1 4× 10 - 3cm- 1 。

关 键 词:GaAs  激光窗口  补偿掺杂
文章编号:0258-7076(2004)03-0554-04

A New Compensating Dopant to Develop GaAs Laser Window Material
Li Jianming,Tu Hailing.A New Compensating Dopant to Develop GaAs Laser Window Material[J].Chinese Journal of Rare Metals,2004,28(3):554-557.
Authors:Li Jianming  Tu Hailing
Affiliation:Li Jianming~*,Tu Hailing
Abstract:
Keywords:GaAs  laser window material  compensating doping
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