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半导体高温压力传感器的静电键合技术
引用本文:张生才,赵毅强,刘艳艳,姚素英,张为,曲宏伟. 半导体高温压力传感器的静电键合技术[J]. 传感技术学报, 2002, 15(2): 150-152
作者姓名:张生才  赵毅强  刘艳艳  姚素英  张为  曲宏伟
作者单位:天津大学电子信息工程学院,天津,300072
基金项目:国家自然科学基金资助项目 (基金号 6 9876 2 0 7)
摘    要:本文论述了多晶硅高温压力传感器中的硅 玻璃静电键合技术 ,包括硅 玻璃静电键合机理 ,键合强度及键合后残余应力的改善措施 .通过大批量键合封接实验 ,键合的成品率达到 95 %以上

关 键 词:多晶硅高温压力传感器  静电键合  键合强度  残余应力
文章编号:1004-1699(2002)02-0150-03
修稿时间:2001-10-15

Study on Si2Glass Anodic Bonding Technology of High2temperatureSemiconductor Pressure Sensor
ZHANG Shengcai,ZHAO Yiqiang,LIU Yanyan,YAO Suying,ZHANG Wei,QU Hongwei. Study on Si2Glass Anodic Bonding Technology of High2temperatureSemiconductor Pressure Sensor[J]. Journal of Transduction Technology, 2002, 15(2): 150-152
Authors:ZHANG Shengcai  ZHAO Yiqiang  LIU Yanyan  YAO Suying  ZHANG Wei  QU Hongwei
Affiliation:School of electronics and information engineering , Tianjin University , Tianjin , 300072 P. R. CHina
Abstract:This paper mainly discusses one main technology of high-temperature polysilicon pressure sensor:Si-Glass anodic bonding, including its principle, bonding strength and measurements to lower the residual stress causing by bonding. By making lots of experiments, the qualification rate can reach 95%.
Keywords:high-temperature polysilicon pressure sensor  anodic bonding  bonding strength  residual stress
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