| 叠栅MOSFETs的结构设计与研究 |
| |
| 引用本文： | 张杰,柯导明,徐太龙,马强,陈军宁. 叠栅MOSFETs的结构设计与研究[J]. 电子技术, 2010, 47(6): 81-83 |
| |
| 作者姓名： | 张杰 柯导明 徐太龙 马强 陈军宁 |
| |
| 作者单位： | 安徽大学电子科学与技术学院;安徽大学电子科学与技术学院;安徽大学电子科学与技术学院;安徽大学电子科学与技术学院;安徽大学电子科学与技术学院 |
| |
| 基金项目： | 安徽省教育厅自然科学研究重点项目( |
| |
| 摘 要： | 通过分析设计,提出了一种新型结构的叠栅MOSFET,它的栅电容是由两个电容混联组成,所以它有较小的栅电容和显著的抑制短沟道效应的作用。模拟软件MEDICI仿真结果验证了理论分析的预言,从而表明该结构可用作射频领域。
|
| 关 键 词： | 叠栅MOSFET 阈值电压 栅氧化层电容 短沟道效应 |
Design and Study of MOSFETs with Stack-gate |
| |
| Zhang Jie,Ke Daoming,Xu Tailong,Ma Qiang,Chen Junning. Design and Study of MOSFETs with Stack-gate[J]. Electronic Technology, 2010, 47(6): 81-83 |
| |
| Authors: | Zhang Jie Ke Daoming Xu Tailong Ma Qiang Chen Junning |
| |
| Affiliation: | Zhang Jie Ke Daoming Xu Tailong Ma Qiang Chen Junning(School of Electronic Science and Technology,Anhui University) |
| |
| Abstract: | By analyzing,a new structure of stacked-gate MOSFET is proposed.Because of the gate capacitance is the result of the two gate mixed together,it has a smaller gate capacitance and a significantly inhibited role of short-channel effects.The simulation with software MEDICI has demonstrated the prediction of theoretical analysis,thus this structure can be used in radio-frequency fields very well. |
| |
| Keywords: | stack-gate MOSFET threshold voltage capacity of the gate-oxide short channel effect |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
