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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
作者姓名:
徐遵图
杨国文
徐俊英
张敬明
沈光地
高国
廉鹏
陈良惠
作者单位:
北京工业大学电子工程系!北京市光电子技术实验室北京100022,中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心北京100083,中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心!北京100083,中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心!北京100083,中国科学院半导体研究
摘 要:
本文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径,并优化了器件结构,可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角.利用分子束外延生长构成了高质量InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,其最高光功率转换效率为53%、最大输出功率为3.7W,垂直于结平面方向远场发散角为30°
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