多角结的成因与硅的位错密度

本文对大量的合金型P-N结结面的“光滑、平整”情况,作了许多观测结果的报导,并分析了产生多结角的原因及其对P-N结击穿特性的影响,解剖、观测结果证明,欲获得平整、光滑的合金型P-N结,使用无位错硅片并不是最有利的。适当的位错密度(1×10~4～5×10~3/cm~2)对于增加合金结的结深和改善结的质量都是有利的(约2000字,4图)。