| 磁控反应溅射沉积AlN薄膜的制备工艺 |
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| 引用本文： | 朱昌,朱春燕.磁控反应溅射沉积AlN薄膜的制备工艺[J].西安工业大学学报,2008,28(1):15-17. |
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| 作者姓名： | 朱昌 朱春燕 |
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| 作者单位： | 西安工业大学薄膜技术与光学检测重点实验室,西安710032 |
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| 摘 要： | 采用反应磁控溅射的技术,利用高纯氮气和氩气混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜.通过正交实验,分析了工艺参数与沉积速率的关系.研究了氮气浓度对透过率的影响.实验结果表明:在各工艺参数中靶功率对沉积速率影响最大,靶功率为1.0 kW,氮气浓度控制在25%～35%时薄膜的性能良好,沉积速率为39 nm/min,薄膜在可见光区域平均透过率为90%.该薄膜可以广泛用于光学薄膜和压电薄膜材料.
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| 关 键 词： | 反应磁控溅射 AlN薄膜 沉积速率 透过率 磁控 反应 溅射沉积 薄膜材料 制备工艺 Magnetron Reactive Sputtering Thin Films 光学薄膜 平均透过率 可见光区域 性能 浓度控制 高纯氮气 靶功率 结果 正交实验 影响 气浓度 研究 关系 |
| 文章编号： | 1673-9965(2008)01-015-03 |
| 修稿时间： | 2007年7月16日 |
Deposition of AlN Thin Films by Magnetron Reactive Sputtering |
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| Authors: | ZHU Chang ZHU Chun-yan |
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