| Pb1-xLaxTiO3薄膜的制备及介电特性研究 |
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| 引用本文： | 朱卫东,郑分刚,沈明荣,甘肇强,葛水兵.Pb1-xLaxTiO3薄膜的制备及介电特性研究[J].材料科学与工程学报,2000,18(3):84-86. |
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| 作者姓名： | 朱卫东 郑分刚 沈明荣 甘肇强 葛水兵 |
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| 作者单位： | 苏州大学物理系薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006 |
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| 摘 要： | 用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x＜0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能.在600℃下退火1小时的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(100)择优取向明显.在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线.在x＜0.2(摩尔比)的范围内,PLT薄膜相对介电常数则随着La的增加而增加.
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| 关 键 词： | 溶胶-凝胶 PLT薄膜 |
Preparation and Characterization of Pb1-xLaxTiO3(PLT)Thin Films |
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| ZHU Wei-dong,ZHENG Fen-gang,SHEN Ming-rong,GAN Zhao-qiang,GE Shui-bing.Preparation and Characterization of Pb1-xLaxTiO3(PLT)Thin Films[J].Journal of Materials Science and Engineering,2000,18(3):84-86. |
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| Authors: | ZHU Wei-dong ZHENG Fen-gang SHEN Ming-rong GAN Zhao-qiang GE Shui-bing |
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| Keywords: | Sol\|gel PLT thin film |
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