| 铁钝化多孔硅紫外辐照下的发光稳定性研究 |
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| 引用本文： | 陈景东,赵韦人,张婷. 铁钝化多孔硅紫外辐照下的发光稳定性研究[J]. 热处理技术与装备, 2008, 29(5) |
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| 作者姓名： | 陈景东 赵韦人 张婷 |
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| 作者单位： | 漳州师范学院物理与电子信息工程系,福建,漳州,363000;广东工业大学物理与光电工程学院,广东,广州,510006;漳州师范学院化学与环境科学系,福建,漳州,363000 |
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| 基金项目： | 漳州师范学院校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 用水热腐蚀法制备出了红光发射(～2.0 eV)的铁钝化多孔硅.在240 nm紫外光持续辐照下,样品的红光强度迅速增强～10%后趋于稳定.傅立叶红外变换光谱分析结果显示样品中有强的Si-O-Si和Si-O-H吸收,同时存在氧化的硅烷基团(O3-xSix)Si-H(x=1,2,3).量子限制-发光中心模型(QCLC)以及非桥氧空穴缺陷(NBOHC)被用于解释强的稳定的红光辐射.
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| 关 键 词： | 多孔硅 铁钝化 光致发光 非桥氧空穴 水热腐蚀 |
Photoluminescence Stability of Iorn-passivated Porous silicon under Ultraviolet Iight Irradiation |
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| CHEN Jing-dong,ZHAO Wei-ren,ZHANG Ting. Photoluminescence Stability of Iorn-passivated Porous silicon under Ultraviolet Iight Irradiation[J]. Heat Treatment Technology and Equipment, 2008, 29(5) |
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| Authors: | CHEN Jing-dong ZHAO Wei-ren ZHANG Ting |
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