| RTCVD工艺制备poly—Si薄膜太阳电池的研究 |
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| 引用本文： | 赵玉文,寥显伯.RTCVD工艺制备poly—Si薄膜太阳电池的研究[J].太阳能学报,1998,19(2):152-155. |
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| 作者姓名： | 赵玉文 寥显伯 |
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| 作者单位： | 北京市太阳能研究所，中国科学院半导体研究所国家表面物理实验室 |
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| 摘 要： | 报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。采用ＳｉＨ２Ｃｌ２作为原料气体，衬底温度为１０３０℃时，薄膜的生长速率为１０ｎｍ／ｓ。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备１ｃｍ２的ｐ＋ｎ结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为４．５４％（ＡＭ１．５，１００ｍＷ／ｃｍ２，２５℃）。
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| 关 键 词： | 多晶硅薄膜，太阳电池，快速热化学气相沉积 |
POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS AND SOLAR CELLS PREPARED BY RAPID THERMAL CVD |
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| Zhao,Yuwen,Li,Zhongming,He,Shaoji,Wan,Wenjing.POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS AND SOLAR CELLS PREPARED BY RAPID THERMAL CVD[J].Acta Energiae Solaris Sinica,1998,19(2):152-155. |
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| Authors: | Zhao Yuwen Li Zhongming He Shaoji Wan Wenjing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | polycrystalline silicon films solar cells rapid thermal chemical vapor deposition |
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