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| 存取速度快的ECL RAM | |
| 引用本文： | 陈善海.存取速度快的ECL RAM[J].电子技术,1988(11). |
| 作者姓名： | 陈善海 |
| 摘 要： | 日本富士通有限公司最近生产的64Kb双极ECLRAM,存取时间高达5ns。它应用了1μm规则和U型槽隔离方法,存贮单元面积为403μm~2,芯片面积为76.4mm~2。此存贮器结构为8K×8b,可分成两个字 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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