键合Si/SiO_2/Si结构的C-V特征 |
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引用本文: | 黄庆安,陈军宁,张会珍,童勤义.键合Si/SiO_2/Si结构的C-V特征[J].半导体学报,1994,15(5):354-360. |
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作者姓名: | 黄庆安 陈军宁 张会珍 童勤义 |
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作者单位: | 东南大学微电子中心 |
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摘 要: | 本文研究了理想Si/SiO2/Si结构的电容-电压(C-V)特征,提出了根据Si/SiO2/Si的C-V特征测量SiO2厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法,并对键合样品进行了实验.
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