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| 键合Si／SiO_2／Si结构的C－V特征 | |
| 作者姓名： | 黄庆安 陈军宁 张会珍 童勤义 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心 |
| 摘 要： | 本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特征，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验． |
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