| InAlAs／InGaAs MSM光电探测器 |
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| 引用本文： | 张永刚,陈建新.InAlAs／InGaAs MSM光电探测器[J].功能材料与器件学报,1995,1(1):49-52. |
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| 作者姓名： | 张永刚 陈建新 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，信息功能材料国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 采用ＧＳＭＢＥ方法及典型的器件工艺制成了用ＩｎＡｌＡｓ作为肖特基势垒增强材料的高性能ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＭＳＭ光电探测器。用自制的测试系统对器件的直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于３０Ｖ，在１０Ｖ偏压下暗电流小于２０ｎＡ，对应的暗电流密度为３ｐａ／μｍ＾２，优于已有文献的报导。
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| 关 键 词： | 光电探测器 GSMBE 外延生长 |
HIGH PERFORMANCE INAlAs/InGaAs METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTORS GROWN BY GAS SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY |
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| Y.G.Zhang,J.X.Chen,Y.C.Ren and A.Z.Li.HIGH PERFORMANCE INAlAs/InGaAs METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTORS GROWN BY GAS SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY[J].Journal of Functional Materials and Devices,1995,1(1):49-52. |
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| Authors: | YGZhang JXChen YCRen and AZLi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GSMBE metal-Semiconductor-Metal photodetectors |
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