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一种高稳定性的无片外电容的LDO的设计
引用本文:周前能,唐亮,李红娟.一种高稳定性的无片外电容的LDO的设计[J].数字技术与应用,2014(10):160-161.
作者姓名:周前能  唐亮  李红娟
作者单位:重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065
摘    要:本文基于SMIC 0.18m CMOS工艺设计了一种高稳定性的无片外电容的LDO。通过采用无片外电容的结构,去掉了LDO的片外的大电容,便于SOC系统的设计。采用有源反馈-阻尼控制频率补偿技术来保证LDO环路的稳定性。

关 键 词:无片外电容  有源反馈-阻尼控制  SOC系统
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