|
|||||
|
|
| 热处理硅中缺陷对室温光致发光的影响(详细摘要) | |
| 引用本文： | 宗祥福,翁渝民,高建荣,邵玲.热处理硅中缺陷对室温光致发光的影响(详细摘要)[J].红外与毫米波学报,1985,4(5). |
| 作者姓名： | 宗祥福 翁渝民 高建荣 邵玲 |
| 作者单位： | 复旦大学材料科学研究所 (宗祥福，翁渝民，高建荣)，复旦大学材料科学研究所(邵玲) |
| 摘 要： | 用室温光致发光方法研究了经450～950℃热处理后硅中的热缺陷行为。光致发光强度密切地依赖于热处理的温度条件。在450℃时,光致发光强度增强,热缺陷减少了非辐射复合中心。高于550℃时,光致发光强度减弱,热缺陷增加了非辐射复合中心。光致发光强度与热缺陷腐蚀斑密度有关。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 | |