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退火Cu2O薄膜的结构及光学特性
引用本文:自兴发,黄文卿,刘瑞明,叶青,程满,孙坤.退火Cu2O薄膜的结构及光学特性[J].光电子.激光,2015,26(10):1931-1936.
作者姓名:自兴发  黄文卿  刘瑞明  叶青  程满  孙坤
作者单位:楚雄师范学院 物理与电子科学学院,材料制备与力学行为研究所,云南 楚雄 675000;楚雄师范学院 物理与电子科学学院,材料制备与力学行为研究所,云南 楚雄 675000;楚雄师范学院 物理与电子科学学院,材料制备与力学行为研究所,云南 楚雄 675000;楚雄师范学院 物理与电子科学学院,材料制备与力学行为研究所,云南 楚雄 675000;楚雄师范学院 物理与电子科学学院,材料制备与力学行为研究所,云南 楚雄 675000;楚雄师范学院 物理与电子科学学院,材料制备与力学行为研究所,云南 楚雄 675000
基金项目:国家自然科学基金联合资助基金(U1037604)资助项目 (楚雄师范学院 物理与电子科学学院,材料制备与力学行为研究所,云南 楚雄 675000)
摘    要:采用射频(RF)磁控溅射单质金属铜(Cu)靶, 在O2和Ar的混合气氛下制备了Cu2O薄 膜,并在N2气氛下对预沉积的Cu2O薄膜进行快速光热退火(RTA)处理,研究了 衬底温度及退火温度对Cu2O 薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,衬底温度在300℃以 下预沉积的Cu2O薄膜 为非晶薄膜,退火处理对Cu2O薄膜的结晶行为有明显影响,在N2气氛下对Cu2O薄膜进 行退火处理不影响薄膜的物 相结构;预沉积和退火Cu2O薄膜在650nm以下波长范围内均有较强 吸收,吸收强度随退火温度的增加而增强,薄 膜在400nm以下波长范围内出现两个由缺陷引起的中间带(IB)吸收行 为,快速热退火处理不能减少或消除薄膜沉积 过程中形成的缺陷态;退火处理影响薄膜的光学带隙Eg,预沉 积薄膜经600℃退火处理,Eg值增大了 0.26eV。

关 键 词:Cu2O薄膜    衬底温度    快速热退火(RTA)    光学特性
收稿时间:8/2/2015 12:00:00 AM

Structure and optical properties of annealed Cu2O thin films
Affiliation:School of Physical and Electronic Science,Research Institute on Preparation a nd Mechanical Behavior of Materials,Chuxiong Normal University,Chuxiong 675000, China;School of Physical and Electronic Science,Research Institute on Preparation a nd Mechanical Behavior of Materials,Chuxiong Normal University,Chuxiong 675000, China;School of Physical and Electronic Science,Research Institute on Preparation a nd Mechanical Behavior of Materials,Chuxiong Normal University,Chuxiong 675000, China;School of Physical and Electronic Science,Research Institute on Preparation a nd Mechanical Behavior of Materials,Chuxiong Normal University,Chuxiong 675000, China;School of Physical and Electronic Science,Research Institute on Preparation a nd Mechanical Behavior of Materials,Chuxiong Normal University,Chuxiong 675000, China;School of Physical and Electronic Science,Research Institute on Preparation a nd Mechanical Behavior of Materials,Chuxiong Normal University,Chuxiong 675000, China
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