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| n型4H-SiC欧姆接触特性 | |
| 引用本文： | 陈刚. n型4H-SiC欧姆接触特性[J]. 半导体学报, 2005, 26(Z1) |
| 作者姓名： | 陈刚 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 对不同工艺条件下的NiCr/4H-SiC欧姆接触特性进行了对比研究,得到了良好欧姆接触的最佳工艺条件,为SiC MESFET器件的实现奠定了基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr/4H-SiC的最佳特征接触电阻率达到1.24×10-5Ω·cm2,能够很好地满足SiC MESFET器件的需要. |
| 关 键 词： | SiC 欧姆接触 特征接触电阻率 MESFET 退火 |
n-Type 4H-SiC Ohmic Contact |
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| Chen Gang. n-Type 4H-SiC Ohmic Contact[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(Z1) | |
| Authors: | Chen Gang |
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| Keywords: | |
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