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| 光电薄膜SnS的制备及其性能 | |
| 引用本文： | 程树英,黄赐昌,陈岩清,陈国南.光电薄膜SnS的制备及其性能[J].半导体学报,2005,26(6). |
| 作者姓名： | 程树英 黄赐昌 陈岩清 陈国南 |
| 作者单位： | 1. 福州大学化学系,福州,350002;福州大学电子科学与应用物理系,福州,350002 2. 福州大学电子科学与应用物理系,福州,350002 3. 福州大学化学系,福州,350002 |
| 摘 要： | 在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/5和电流密度J=3.0mA/cm2的条件下,用阴极恒电流沉积法在ITO导电玻璃基片上制备出了Sn0.995S1.005膜层,并用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌,发现其颗粒较均匀,粒径大小在200～800nm之间.用X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜.通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.23eV.用四探针法测得其导电类型为p型,电阻率为7.5Ω·cm. |
| 关 键 词： | 电沉积 SnS薄膜 光电性能 |
Investigation on Preparation of SnS Film and Its Properties |
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| CHENG Shuying,Huang Cichang,Chen Yanqing,Chen Guonan.Investigation on Preparation of SnS Film and Its Properties[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(6). | |
| Authors: | CHENG Shuying Huang Cichang Chen Yanqing Chen Guonan |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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