| 深亚微米功耗优化的简化模型 |
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| 引用本文： | 粟雅娟,魏少军. 深亚微米功耗优化的简化模型[J]. 半导体学报, 2005, 26(3) |
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| 作者姓名： | 粟雅娟 魏少军 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 结合DVS和ABB技术,同时调整工作电压Vdd和衬底偏置电压Vbs的方法能有效降低深亚微米功耗.在解析方法的基础上提出了已知频率下功耗优化的Vdd,Vbs简化模型.模型中任意频率下对应的优化Vdd,Vbs值中之一为常数,避免了解析方法中的超越方程求解.文章进一步对不同电容时简化模型中的参数提出了近似估计方法SEM.0.18μm和0.07μm工艺参数下模拟试验表明,采用简化模型以及SEM估计方法得到的优化功耗值与解析方法得到的结果十分接近,最大误差为2%和5%,平均误差为0.8%和1%.模拟实验表明本文的模型及方法在保证优化精度的基础上减小了计算复杂度,适用于深亚微米下的功耗优化及评估.
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| 关 键 词： | 解析方法 简化模型 SEM估计方法 DVS ABB |
DeepSubmicronSimplifiedPowerOptimizingModel |
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| Su Yajuan,Wei Shaojun. DeepSubmicronSimplifiedPowerOptimizingModel[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(3) |
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| Authors: | Su Yajuan Wei Shaojun |
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