| 硅集成电感元件的分析、设计与优化 |
| |
| 引用本文： | 张跃鲤,张文俊.硅集成电感元件的分析、设计与优化[J].半导体学报,2005,26(Z1). |
| |
| 作者姓名： | 张跃鲤 张文俊 |
| |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 利用采用FDTD(finite-difference time-domain method)方法的计算软件ISE-EMLAB对片上集成电感进行了模拟,并分析了电感的金属宽度、金属间隔、线圈外直径、线圈匝数等设计参数对电感的品质因数、电感值、电阻值等参数的频率特性的影响,进而提出了一种应用于片上集成电感的优化设计的方法.
|
| 关 键 词： | FDTD方法 品质因数 电感值 电阻值 设计参数 |
Analysis, Design, and Optimization of Si Inductors |
| |
| Zhang Yueli,Zhang Wenjun.Analysis, Design, and Optimization of Si Inductors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(Z1). |
| |
| Authors: | Zhang Yueli Zhang Wenjun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
