| 氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析 |
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| 引用本文： | 佟存柱,韩勤,彭红玲,牛智川,吴荣汉. 氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析[J]. 半导体学报, 2005, 26(7) |
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| 作者姓名： | 佟存柱 韩勤 彭红玲 牛智川 吴荣汉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法.
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器 氧化孔 串联电阻 |
Analysis of Series Resistance of Oxide-Aperture Confined Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers |
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| Tong Cunzhu,HAN Qin,Peng Hongling,Niu Zhichuan,Wu Ronghan. Analysis of Series Resistance of Oxide-Aperture Confined Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(7) |
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| Authors: | Tong Cunzhu HAN Qin Peng Hongling Niu Zhichuan Wu Ronghan |
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