| 基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT |
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| 引用本文： | 陈晓娟,刘新宇,邵刚,刘键,和致经,汪锁发,吴德馨. 基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT[J]. 半导体学报, 2005, 26(5) |
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| 作者姓名： | 陈晓娟 刘新宇 邵刚 刘键 和致经 汪锁发 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理.从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14.9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和电流提高33%.表明采用FC技术有效改善了器件散热,而且引入的寄生电感较小,可获得更大输出功率.如果进一步完善频率特性的优化,可以加快FC技术的AlGaN/GaN大功率HEMT器件的实用化进程.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT FC 倒扣 热阻 |
AlGaN/GaN HEMT on Sapphire Using FC Bonding |
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| Chen Xiaojuan,Liu Xinyu,SHAO Gang,Liu Jian,He Zhijing,Wang Suofa,Wu Dexin. AlGaN/GaN HEMT on Sapphire Using FC Bonding[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(5) |
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| Authors: | Chen Xiaojuan Liu Xinyu SHAO Gang Liu Jian He Zhijing Wang Suofa Wu Dexin |
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