| 高电子迁移率InP/InP外延材料的MBE生长 |
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| 引用本文： | 舒永春,姚江宏,林耀望,邢小东,皮彪,徐波,王占国,许京军.高电子迁移率InP/InP外延材料的MBE生长[J].半导体学报,2005,26(8). |
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| 作者姓名： | 舒永春 姚江宏 林耀望 邢小东 皮彪 徐波 王占国 许京军 |
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| 作者单位： | 南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关.根据霍耳测量结果,对生长条件和实验参数进行了优化,在生长温度为370℃,磷裂解温度为850℃,生长速率为0.791μm/h和束流比为2.5的条件下,获得了厚度为2.35μm的InP/InP外延材料.在77K温度下,电子浓度为1.55×1015cm-3,电子迁移率达到4.57×104cm2/(V·s).
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| 关 键 词： | 固态源分子束外延 高电子迁移率 InP/InP外延材料 |
MBE Growth of High Electron Mobility InP Epilayers |
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| Abstract: | The molecular beam epitaxial growth of high quality epilayers on (100) InP substrate using a valve phosphorous cracker cell over a wide range of P/In BEP ratio (2.0～7.0) and growth rate (0. 437 and 0. 791μm/h). Experimental results show that electrical properties exhibit a pronounced dependence on growth parameters, which are growth rate, P/In BEP ratio, cracker zone temperature, and growth temperature. The parameters have been optimized and electron concentration of 1.55 × 1015 cm-3 have been achieved with an epilayer thickness of 2.35μtm at a growth temperature of 370℃ by using a cracking zone temperature of 850℃. |
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| Keywords: | SSMBE high electron mobility InP epilayers |
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