| GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟 |
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| 引用本文： | 何为,郝智彪,罗毅. GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟[J]. 半导体学报, 2005, 26(4) |
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| 作者姓名： | 何为 郝智彪 罗毅 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084 |
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| 摘 要： | 采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究.用衬底束缚能的表面分布模拟衬底图形,考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响.结果表明,合适的停顿时间使图形衬底上的量子点分布更趋规则化,对量子点的定位生长有积极的影响.
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| 关 键 词： | 动力学蒙特卡罗模拟 量子点 外延生长 |
Kinetic Monte Carlo Simulation of InAs Quantum Dots Growth Pause on GaAs Patterned Substrate |
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| He Wei,HAO Zhibiao,Luo Yi. Kinetic Monte Carlo Simulation of InAs Quantum Dots Growth Pause on GaAs Patterned Substrate[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(4) |
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| Authors: | He Wei HAO Zhibiao Luo Yi |
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