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GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟
作者姓名:何为  郝智彪  罗毅
作者单位:清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084
摘    要:采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究.用衬底束缚能的表面分布模拟衬底图形,考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响.结果表明,合适的停顿时间使图形衬底上的量子点分布更趋规则化,对量子点的定位生长有积极的影响.

关 键 词:动力学蒙特卡罗模拟  量子点  外延生长
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