| 具有P型埋层PSOI结构的耐压分析 |
| |
| 引用本文： | 段宝兴,张波,李肇基.具有P型埋层PSOI结构的耐压分析[J].半导体学报,2005,26(11):2149-2153. |
| |
| 作者姓名： | 段宝兴 张波 李肇基 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心,成都,610054;电子科技大学IC设计中心,成都,610054;电子科技大学IC设计中心,成都,610054 |
| |
| 摘 要： | 提出了一种具有p型埋层的PSOI器件耐压新结构,称为埋层PSOI(BPSOI).其耐压机理是,通过p型埋层电荷产生的附加电场调制作用,导致表面电场分布中产生新的峰而使击穿电压提高;p型埋层的电中性作用增加了漂移区优化的浓度而使比导通电阻降低.借助二维MEDICI数值分析软件,获得此结构较一般PSOI的击穿电压提高52%～58%、比导通电阻降低45%～48%.
|
| 关 键 词： | BPSOI 附加电场 击穿电压 比导通电阻 |
A Breakdown Voltage Model of a PSOI Structure with a p-Type Buried Layer |
| |
| Duan Baoxing,Zhang Bo,Li Zhaoji.A Breakdown Voltage Model of a PSOI Structure with a p-Type Buried Layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11):2149-2153. |
| |
| Authors: | Duan Baoxing Zhang Bo Li Zhaoji |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
