| Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳米线 |
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| 引用本文： | 高海永,庄惠照,薛成山,王书运,何建廷,董志华,吴玉新,田德恒.Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳米线[J].半导体学报,2005,26(5). |
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| 作者姓名： | 高海永 庄惠照 薛成山 王书运 何建廷 董志华 吴玉新 田德恒 |
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| 作者单位： | 山东师范大学半导体研究所,济南,250014;山东师范大学半导体研究所,济南,250014;山东师范大学半导体研究所,济南,250014;山东师范大学半导体研究所,济南,250014;山东师范大学半导体研究所,济南,250014;山东师范大学半导体研究所,济南,250014;山东师范大学半导体研究所,济南,250014;山东师范大学半导体研究所,济南,250014 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3和NH3反应合成GaN纳米线.
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| 关 键 词： | GaN纳米线 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氨化 |
Synthesis of GaN Nanowires Through Ammoniating ZnO/Ga2O3 Films on Si Substrates |
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| Gao Haiyong,Zhuang Huizhao,Xue Chengshan,Wang Shuyun,He Jianting,DONG Zhihua,Wu Yuxin,Tian Deheng.Synthesis of GaN Nanowires Through Ammoniating ZnO/Ga2O3 Films on Si Substrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(5). |
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| Authors: | Gao Haiyong Zhuang Huizhao Xue Chengshan Wang Shuyun He Jianting DONG Zhihua Wu Yuxin Tian Deheng |
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| Keywords: | |
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