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| 快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响 | |
| 摘 要： | 用固态分子束外延技术生长了高应变In045Ga0.55 As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的In-Ga原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(0.88eV). |
| 关 键 词： | 分子束外延 高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱 快速热退火 室温光致发光 |
Effect of Rapid Thermal Annealing on Highly Strained InGaAs/GaAs Quantum Well |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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