| 阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压模型 |
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| 引用本文： | 李琦,张波,李肇基.阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压模型[J].半导体学报,2005,26(11). |
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| 作者姓名： | 李琦 张波 李肇基 |
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| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心,成都,610054 |
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| 摘 要： | 提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压解析模型.通过分区求解二维Poisson方程,获得阶梯掺杂薄漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式.借助此模型研究击穿电压与器件结构参数的关系,其解析与数值结果吻合较好.结果表明:在导通电阻相近情况下,阶梯掺杂漂移区LDMOS较均匀漂移区的击穿电压提高约20%,改善了击穿电压和导通电阻的折衷关系.
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| 关 键 词： | 薄漂移区 阶梯掺杂 击穿电压 模型 |
A Breakdown Model of Thin Drift Region LDMOS with a Step Doping Profile |
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| Li Qi,Zhang Bo,Li Zhaoji.A Breakdown Model of Thin Drift Region LDMOS with a Step Doping Profile[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11). |
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| Authors: | Li Qi Zhang Bo Li Zhaoji |
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