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数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现
引用本文:张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,杨乃彬. 数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现[J]. 半导体学报, 2005, 26(7)
作者姓名:张有涛  夏冠群  李拂晓  高建峰  杨乃彬
作者单位:1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;南京电子器件研究所,南京,210016
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
3. 南京电子器件研究所,南京,210016
摘    要:详细讨论、分析了用于3bit相位体制数字射频存储器(DRFM)系统的3bit相位体制ADC的设计、实现及测试.利用南京电子器件研究所标准GaAsΦ76mm全离子注入工艺,采用全耗尽非自对准MESFET器件加工实现了3bit超高速相位体制ADC.测试结果表明,该电路可在2GHz时钟速率下完成采样、量化,达到1.2Gbps的输出码流速率,其瞬时带宽可达150MHz,具备±0.22LSB的相位精度.

关 键 词:相位数字化  模数转换器  MESFET  比较器  数字射频存储器

Design and Implementation of a High-Speed 3bit GaAs Phase ADC for DRFM
Zhang Youtao,Xia Guanqun,Li Fuxiao,GAO Jianfeng,Yang Naibin. Design and Implementation of a High-Speed 3bit GaAs Phase ADC for DRFM[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(7)
Authors:Zhang Youtao  Xia Guanqun  Li Fuxiao  GAO Jianfeng  Yang Naibin
Abstract:
Keywords:
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