| 有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制 |
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| 引用本文： | 方健,张正璠,雷宇,乔明,李肇基,张波. 有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制[J]. 半导体学报, 2005, 26(3) |
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| 作者姓名： | 方健 张正璠 雷宇 乔明 李肇基 张波 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 610054
2. 中国电子科技集团第24研究所,重庆 400060 |
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| 基金项目： | 国家军事电子预研基金，国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件MEDICI分析了n埋层的浓度、长度和p-降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响,并进行了器件和工艺的优化设计.在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS,并已用于1200V功率集成电路中.
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| 关 键 词： | 高压LDMOS RESURF原理 横向变掺杂 击穿电压 |
Realization of A Novel 1200V VLD Double RESURF LDMOS with n-Bury Layer |
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| Fang Jian,Zhang Zhengfan,Lei Yu,Qiao Ming,Li Zhaoji,Zhang Bo. Realization of A Novel 1200V VLD Double RESURF LDMOS with n-Bury Layer[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(3) |
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| Authors: | Fang Jian Zhang Zhengfan Lei Yu Qiao Ming Li Zhaoji Zhang Bo |
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